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1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士獲得了“dram”的專利
1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士獲得美國(guó)專利3387286，該專利描述了一個(gè)單晶體管DRAM單元。DRAM稍后將取代計(jì)算機(jī)中的磁芯存儲(chǔ)器。
擴(kuò)展閱讀：
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。
由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
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