在今天的年度業(yè)績說明會上，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司中微董事長尹志堯提到該公司正在開發(fā)新一代的刻蝕設(shè)備，可用于 5nm 以下的邏輯工藝、 1Xnm 的 DRAM 芯片和 128 層以上的 3D NAND 芯片等產(chǎn)品。中微公司透露，公司積極關(guān)注下游市場擴產(chǎn)計劃并努力爭取各種可能的市場機會，公司的刻蝕設(shè)備在國內(nèi)主要客戶端市場占有率不斷提升。

         在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設(shè)備已運用在國際知名客戶 65nm 到 5nm 等先進的芯片生產(chǎn)線上； 同時，公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求，已開發(fā)出小于 5nm 刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。

       公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5nm 以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。

       在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于 64 層和 128 層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋 128 層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

        此外，公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求， 正在進行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足 5nm 以下的邏輯芯片、 1Xnm 的 DRAM 芯片和 128 層以上的 3D NAND 芯片等產(chǎn)品的 ICP 刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的 ICP 刻蝕設(shè)備的研發(fā)。

       2021 年，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入 31.08 億元，同比增長 36.72% ；歸屬于母公司所有者的凈利潤 10.11 億元，同比增長 105.49% 。以上就是本文全部內(nèi)容，更多資訊，請關(guān)注uc23電腦園！