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1967年，貝爾實驗室發明了浮柵MOSFET，打下閃存的基礎
1967年。貝爾實驗室江大原（Dawon Kahng，韓裔）和施敏博士（Simon Sze）共同發明了浮柵MOSFET，即所有閃存，EEPROM和EPROM的基礎。
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浮柵MOSFET，可以把電子牢牢關在基板和金屬浮柵極之間的一片小小導體中。這種結構，是NAND閃存的基礎。
浮柵MOSFET的柵極是電絕緣的，從而在直流電中產生浮動節點。
在浮柵（floATIng gate）上方以沉積方式構造多個次級柵極或輸入電極，與浮柵絕緣。這些輸入與浮柵僅有電容耦合連接。由于浮柵完全被高電阻材料包圍，因此其中包含的電荷量會長時間保持不變。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和熱載流子注入機制來修改存儲在浮柵中的電荷量。
在今天的電腦、手機、存儲卡、洗衣機、微波爐，甚至門禁卡、交通卡中，NAND閃存無處不在。
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