三星3nm芯片將有望在第二季度開始量產(chǎn)

rose1 發(fā)表于2022-04-29 10:09

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當(dāng)?shù)貢r間周四，三星官方表示有望在第二季度（未來幾周）開始使用其3GAE（3nm級柵極全方位早期）制造工藝大批量生產(chǎn)芯片。這一宣布不僅標(biāo)志著業(yè)界首個3nm級的制造技術(shù)，而且也是第一個使用柵極全包圍場效應(yīng)晶體管（GAAFET）的節(jié)點(diǎn)。

三星通過世界上首次大規(guī)模的GAA 3nm工藝，加強(qiáng)其技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。三星代工的3GAE工藝技術(shù)是該公司第一個使用GAA晶體管的工藝，三星官方稱之為多橋通道場效應(yīng)晶體管（MBCFETs）。

三星3nm芯片將有望在第二季度開始量產(chǎn)

三星大約在三年前正式推出了其3GAE和3GAP節(jié)點(diǎn)。當(dāng)該公司描述其使用3GAE技術(shù)生產(chǎn)256Mb GAAFET SRAM芯片時，它提出了一系列的要求。三星表示，該工藝將使性能提高30%，功耗降低50%，晶體管密度提高80%。不過，對三星來說，性能和功耗的實際組合將如何發(fā)揮，還有待觀察。

三星3nm芯片將有望在第二季度開始量產(chǎn)

從理論上講，與目前使用的FinFET相比，GAAFET有許多優(yōu)勢。在GAA晶體管中，通道是水平的，被柵極所包圍。GAA通道是利用外延和選擇性材料去除形成的，這使得設(shè)計者可以通過調(diào)整晶體管通道的寬度來精確地調(diào)整它們。通過更寬的通道獲得高性能，通過更窄的通道獲得低功率。這樣的精度大大降低了晶體管的漏電電流以及晶體管的性能變化，這意味著更快的投產(chǎn)時間、上市時間和提高產(chǎn)量。

三星3nm芯片將有望在第二季度開始量產(chǎn)

另外，根據(jù)應(yīng)用材料公司最近的一份報告，GAAFET有望減少20%-30%的電池面積。三星的3GAE，作為一種"早期"的3nm級制造技術(shù)，3GAE將主要被三星LSI（三星的芯片開發(fā)部門）和兩三個高級客戶使用。考慮到三星LSI和早期客戶傾向大批量制造芯片，預(yù)計3GAE技術(shù)將得到相當(dāng)廣泛的使用，前提是這些產(chǎn)品的產(chǎn)量和性能達(dá)到預(yù)期。

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