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1967年貝爾實驗室發明了浮柵晶體管（Floating Gate Transistor）
1967年，貝爾實驗室的韓裔科學家姜大元和華裔科學家施敏一起發明了浮柵晶體管（Floating Gate Transistor），這個是現在SSD的基礎NAND Flash的技術來源。
擴展閱讀：
NOR 和 NAND 兩種閃存芯片都由很多的浮柵晶體管組成，晶體管是存儲數據的最小單元，就像機械硬盤中的磁性物質代表 1 和 0。晶體管構成網格，根據網格中晶體管的數量，單個網格的容量在 256kb-4MB 之間。
SSD主要由SSD控制器，Flash存儲陣列，板上DRAM(可選)以及跟HOST接口(SATA、SAS、PCIe等)組成。
Flash的基本存儲單元是浮柵晶體管，同時根據制造工藝分為NOR型和NAND型。NAND容量大，按照Page進行讀寫，適合進行數據存儲，基本上存儲使用的SSD的Flash都是NAND。
Flash的工作原理和場效應管類似都是利用電壓控制源極和漏極之間的通斷來工作的。
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