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AMD于2009年1月8日，發(fā)布了第一個(gè)Phenom X4(四核)處理器

賣火柴的十一發(fā)表于 2020-06-05 15:00

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AMD于2009年1月8日，發(fā)布了第一個(gè)PrompomII X4(四核)處理器(6M高速緩存，2.5至3.7GHz，1066兆赫或1333兆赫FSB)。

AMD于2009年1月8日，發(fā)布了第一個(gè)Phenom X4(四核)處理器

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Phenom X4系列處理器有以下特點(diǎn)：

浸沒式光刻技術(shù)（Immersion Lithography）

通過與ibm公司的合作，AMD公司已經(jīng)制定了一個(gè)穩(wěn)定、高效的浸沒式光刻技術(shù)進(jìn)程，在保持產(chǎn)量符合傳統(tǒng)光刻技術(shù)的同時(shí)更是有著超過常規(guī)光刻技術(shù)40%的漲幅，采用AMD公司45納米技術(shù)的晶圓已經(jīng)開始應(yīng)用浸沒式光刻技術(shù)了，AMD公司的分析表明，浸沒式光刻技術(shù)是一種比傳統(tǒng)光刻技術(shù)更有效率，更具本效益的方法。

第四代應(yīng)變硅技術(shù)（Fourth-generATIon Strained Silicon）

AMD公司的45納米制造工藝采用了他們的第四代應(yīng)變硅（Fourth-generation Strained Silicon）技術(shù)，利用硅鍺、雙應(yīng)力應(yīng)變硅以及先進(jìn)的應(yīng)變記憶技術(shù)，能夠有效提高晶體管的開關(guān)速度和電源效率。對(duì)于終端處理器產(chǎn)品而言，其運(yùn)作時(shí)鐘頻率和效能均將從中獲益。

超低K電介質(zhì)（Ultra-low-k Dielectrics）

在一些日后的45納米產(chǎn)品上，AMD公司計(jì)劃采用超低K電介質(zhì)（Ultra-low-k Dielectrics）以減少半導(dǎo)體芯片上晶體管間連接銅導(dǎo)線的延誤率多達(dá)15%。低介電常數(shù)材料K值為3.0，而在采用超低K電介質(zhì)后其K值為2.4，這無疑有助于芯片整體效能的提高。

高K柵介質(zhì)和金屬柵電極（High-k/metal Gates）

做為AMD公司“持續(xù)改進(jìn)晶體管辦法”（Continuous Transistor Improvement，CTI）的核心，AMD公司已經(jīng)選擇采用高K柵介質(zhì)和金屬柵電極，他們選擇與ibm公司合作開發(fā)的方法，旨在用最有效率的方式遷移至高K柵介質(zhì)和金屬柵電極，這將進(jìn)一步提高性能和降低能耗。

AMD于2009年1月8日，發(fā)布了第一個(gè)Phenom X4(四核)處理器